真茂佳

深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体设计公司，研发总部位于台湾，销售、应用总部坐落在深圳。公司创始团队拥有20年以上的功率半导体行业经验，并曾担任国内IDM企业高管。公司设计团队来自国内外顶尖功率半导体IDM企业的核心设计人员，并拥有至少15年以上设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。真茂佳半导体利用自己的行业经验和对行业的深入理解将深耕功率半导体领域。

目前公司专注于高性能、高性价比的中低压和高压MOSFET设计开发。基于汽车半导体功率器件平台技术打造高可靠性产品，反压覆盖-100至200V，导通电阻低至1mR以下。目前主要产品有Trench MOSFET（-100~-20V,20~200V）、Split Gate Trench MOSFET(30~150V)、Super Junction MOSFET(500-900V)以及同步BUCK控制IC，拥有自主知识产权并全力发展“ZMJ-SEMI”自主产品品牌。主要应用领域有电机驱动、电池保护、无线充电、PD快充、车充、适配器、电子烟、嵌入式系统、智能家居、白色家电、IOT等。目前公司有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP等系列封装。公司秉承以客户为中心的经营理念，通过持续创新不断开发高效、高可靠性、高性价比功率器件和电源管理IC，持续为客户创造价值。